LSANB2016KKT1R0M TAIYO YUDEN
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|---|---|
| 9+ | 0.34 EUR |
| 11+ | 0.27 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 9000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details LSANB2016KKT1R0M TAIYO YUDEN
Description: TAIYO YUDEN - LSANB2016KKT1R0M - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 2.2 A, Drahtgewickelt, 2.2 A, LSANB Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Drahtgewickelt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016], DC-Widerstand, max.: 0.075ohm, usEccn: EAR99, RMS-Strom Irms: 2.2A, Sättigungsstrom (Isat): 2.2A, Produktlänge: 2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: LSANB Series, productTraceability: No, Produktbreite: 1.6mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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LSANB2016KKT1R0M | Hersteller : TAIYO YUDEN |
 Description: TAIYO YUDEN - LSANB2016KKT1R0M - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 2.2 A, Drahtgewickelt, 2.2 A, LSANB SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Drahtgewickelt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.075ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.2A Sättigungsstrom (Isat): 2.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: LSANB Series productTraceability: No Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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LSANB2016KKT1R0M | Hersteller : TAIYO YUDEN |
Description: TAIYO YUDEN - LSANB2016KKT1R0M - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 2.2 A, Drahtgewickelt, 2.2 A, LSANB Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Widerstand, max.: 0.075ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 2.2A RMS-Strom Irms: 2.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR productTraceability: No Produktbreite: 1.6mm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |