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LSIC1MO170E0750

LSIC1MO170E0750 Littelfuse

media-3320579.pdf Hersteller: Littelfuse
MOSFET SIC MOSFET 1700V 750MO
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Technische Details LSIC1MO170E0750 Littelfuse

Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V.

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LSIC1MO170E0750 LSIC1MO170E0750 Hersteller : Littelfuse Inc. Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
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