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Technische Details LSIC1MO170T0750 Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W, Case: TO263-7, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Power dissipation: 65W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Gate charge: 11nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 11A, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 4.5A, On-state resistance: 0.75Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 400 Stücke.
Weitere Produktangebote LSIC1MO170T0750 nach Preis ab 8.78 EUR bis 17.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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LSIC1MO170T0750 | Hersteller : IXYS |
 MOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET |
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LSIC1MO170T0750 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| LSIC1MO170T0750 | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 11nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 11A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 400 Stücke |
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LSIC1MO170T0750 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| LSIC1MO170T0750 | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 11nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 11A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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