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LSIC2SD120C10 Littelfuse

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_LSI-1109675.pdf

Hersteller: Littelfuse
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC

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Technische Details LSIC2SD120C10 Littelfuse

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 33A, Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Weitere Produktangebote LSIC2SD120C10

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
LSIC2SD120C10		1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Діоди та діодні збірки	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LSIC2SD120C10	Littelfuse Inc.	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LSIC2SD120C10	Littelfuse Inc.	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LSIC2SD120C10	LITTELFUSE	Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LSIC2SD120C10	LITTELFUSE	Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK) SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

LSIC2SD120C10

1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Діоди та діодні збірки

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LSIC2SD120C10

Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

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LSIC2SD120C10

Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

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LSIC2SD120C10

LFSI-S-A0003523845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

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LSIC2SD120C10

Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK)
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

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