Technische Details M25P40VMN6TP ST
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote M25P40VMN6TP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| M25P40-VMN6TP | Hersteller : STMicroelectronics |
 Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |