M27C160-100F1 ST
Hersteller: ST
UV EPROM, 16Mbit (2M x 8bit / 1M x 16bit), 100ns, 5V, 0?70°C *obsolete M27C160-100F1 PED016/8c100
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Technische Details M27C160-100F1 ST
Description: IC EPROM 16MBIT PARALLEL 42CDIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 42-CDIP Frit Seal with Window, Memory Format: EPROM, Technology: EPROM - UV, Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Mbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote M27C160-100F1 nach Preis ab 5.49 EUR bis 5.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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M27C160-100F1 Produktcode: 14574
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ST |
IC > IC Speicher Gehäuse: FDIP-42W Funktionsbeschreibung: UV EPROM 16 Mbit (2Mb x 8 oder 1Mb x 16) Versorgung, V: 7 V T°C: 0...+70°C Speichertyp: EPROM Speicherkapazität: 16 Mbit Schnittstelle: Parallel |
auf Bestellung: 147 St.
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| M27C160-100F1 | STM |
Мікросхеми пам'яті |
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| M27C160-100F1 | STMicroelectronics |
Description: IC EPROM 16MBIT PARALLEL 42CDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 42-CDIP Frit Seal with Window Memory Format: EPROM Technology: EPROM - UV Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window Packaging: Tube |
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| M27C160-100F1 | STMicroelectronics |
Память ПЗУ с УФ-стиранием (2M x 8bit или 1M x 16bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт |
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| M27C160-100F1 | STMicroelectronics |
Память ПЗУ с УФ-стиранием (2M x 8bit или 1M x 16bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт |
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M27C160-100F1 | STMicroelectronics |
EPROM 2Mx8 or 1Mx16 100ns |
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IC > IC Speicher
Gehäuse: FDIP-42W
Funktionsbeschreibung: UV EPROM 16 Mbit (2Mb x 8 oder 1Mb x 16)
Versorgung, V: 7 V
T°C: 0...+70°C
Speichertyp: EPROM
Speicherkapazität: 16 Mbit
Schnittstelle: Parallel
IC > IC Speicher
Gehäuse: FDIP-42W
Funktionsbeschreibung: UV EPROM 16 Mbit (2Mb x 8 oder 1Mb x 16)
Versorgung, V: 7 V
T°C: 0...+70°C
Speichertyp: EPROM
Speicherkapazität: 16 Mbit
Schnittstelle: Parallel
auf Bestellung: 147 St.
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Мікросхеми пам'яті
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IC EPROM 16MBIT PARALLEL 42CDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 42-CDIP Frit Seal with Window
Memory Format: EPROM
Technology: EPROM - UV
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
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Description: IC EPROM 16MBIT PARALLEL 42CDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 42-CDIP Frit Seal with Window
Memory Format: EPROM
Technology: EPROM - UV
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
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| M27C160-100F1 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием (2M x 8bit или 1M x 16bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием (2M x 8bit или 1M x 16bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт
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Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием (2M x 8bit или 1M x 16bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием (2M x 8bit или 1M x 16bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт
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| M27C160-100F1 |
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EPROM 2Mx8 or 1Mx16 100ns
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