MAX2602ESA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated


max2601-max2602.pdf
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8-SOIC-EP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2A
Power - Max: 6.4W
Gain: 11.6dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
Frequency - Transition: 1GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
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Technische Details MAX2602ESA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8-SOIC-EP, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Frequency - Transition: 1GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2A, Power - Max: 6.4W, Gain: 11.6dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MAX2602ESA+ MAX2602ESA+ Analog Devices / Maxim Integrated MAX2601_MAX2602.pdf RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
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MAX2602ESA+ Maxim max2601-max2602.pdf SOIC 8/I°/3.6V 1W RF POWER TRANSISTORS FOR 900MHZ APPLICATIONS MAX2602SO
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
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