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MBR1635G

MBR1635G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 16A 35V
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Technische Details MBR1635G ON Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO2202, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 16A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBR1635G On Semiconductor MBR1635-D.pdf DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220-2 Діоди та діодні збірки
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MBR1635G MBR1635G onsemi mbr1635-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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MBR1635G
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Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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