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Technische Details MBRA2H100T3G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SMA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote MBRA2H100T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MBRA2H100T3G | Hersteller : On Semiconductor |
 DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA |
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MBRA2H100T3G Produktcode: 148416 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden |
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MBRA2H100T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky Si 100V 2A 2-Pin SMA T/R |
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MBRA2H100T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky Si 100V 2A 2-Pin SMA T/R |
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MBRA2H100T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky Si 100V 2A 2-Pin SMA T/R |
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MBRA2H100T3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 100 V |
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MBRA2H100T3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 100 V |
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