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MBRAF3200T3G

MBRAF3200T3G ON Semiconductor

mbraf3200t3-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky Si 200V 3A 2-Pin SMA-FL T/R
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Technische Details MBRAF3200T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBRAF3200T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, SMAF, 2 Pin(s), 840 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMAF, Durchlassstoßstrom: 100A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 840mV, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MBRAF3200T3G MBRAF3200T3G onsemi mbraf3200t3-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMA-FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMA-FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
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