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MBRD360T4G

MBRD360T4G ON Semiconductor

mbrd320-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky 60V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MBRD360T4G ON Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MBRD360T4G MBRD360T4G onsemi mbrd320-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
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