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MBRM110ET1G

MBRM110ET1G onsemi

MBRM110E_D-1810816.pdf Hersteller: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
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Technische Details MBRM110ET1G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBRM110ET1G Hersteller : ON-Semicoductor MBRM110E-D.pdf 1A; 10V package: tape&reel; diode Schottky MBRM110ET1G DS MBRM110ET1G
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MBRM110ET1G MBRM110ET1G Hersteller : ON Semiconductor mbrm110e-d.pdf Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
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MBRM110ET1G MBRM110ET1G Hersteller : onsemi MBRM110E-D.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
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MBRM110ET1G MBRM110ET1G Hersteller : onsemi MBRM110E-D.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
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