| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.84 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details MBRM110ET1G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Powermite, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-216AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MBRM110ET1G nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRM110ET1G | ON-Semiconductor |
 1A; 10V package: tape&reel; diode Schottky MBRM110ET1G DS MBRM110ET1GAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MBRM110ET1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
1A; 10V package: tape&reel; diode Schottky MBRM110ET1G DS MBRM110ET1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
1A; 10V package: tape&reel; diode Schottky MBRM110ET1G DS MBRM110ET1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 100+ | 0.29 EUR |