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MBRM110ET1G

MBRM110ET1G onsemi

MBRM110E_D-1810816.pdf
Hersteller: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
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Technische Details MBRM110ET1G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Powermite, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-216AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBRM110ET1G ON Semiconductor MBRM110E-D.pdf Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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MBRM110ET1G ON-Semiconductor MBRM110E-D.pdf 1A; 10V package: tape&reel; MBRM110ET1G DO216AA(CASE457) MIC Schottky diode DS MBRM110ET1G
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MBRM110ET1G ON Semiconductor MBRM110E-D.pdf Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
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298+0.55 EUR
424+0.37 EUR
429+0.35 EUR
549+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
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1A; 10V package: tape&reel; MBRM110ET1G DO216AA(CASE457) MIC Schottky diode DS MBRM110ET1G
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