| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.99 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 2500+ | 0.35 EUR |
| 5000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details MBRM110ET3G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Powermite, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-216AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MBRM110ET3G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MBRM110ET3G | ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
auf Bestellung 12840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBRM110ET3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
auf Bestellung 12840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 558+ | 0.32 EUR |
| 764+ | 0.23 EUR |
| 772+ | 0.21 EUR |
| 822+ | 0.19 EUR |
| 880+ | 0.17 EUR |
| 947+ | 0.15 EUR |
| 1024+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |