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Technische Details MBRM140T3G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V.
Weitere Produktangebote MBRM140T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MBRM140T3G | Hersteller : ON |
 05+ SMD |
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MBRM140T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRM140T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRM140T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBRM140T3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
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MBRM140T3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
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