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MBRM2H100T3G

MBRM2H100T3G onsemi

mbrm2h100-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
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Technische Details MBRM2H100T3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBRM2H100T3G MBRM2H100T3G Hersteller : onsemi MBRM2H100_D-2314979.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 2A 100V
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MBRM2H100T3G MBRM2H100T3G Hersteller : onsemi mbrm2h100-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 100 V
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MBRM2H100T3G MBRM2H100T3G Hersteller : ON Semiconductor mbrm2h100-d.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 2A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
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