Produkte > ONSEMI > MBT35200MT1G
MBT35200MT1G

MBT35200MT1G onsemi

mbt35200mt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
75000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MBT35200MT1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: 6-TSOP, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote MBT35200MT1G nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBT35200MT1G MBT35200MT1G onsemi mbt35200mt1-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 146906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
28+0.76 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT35200MT1G MBT35200MT1G onsemi MBT35200MT1_D-2315310.pdf Bipolar Transistors - BJT Low Saturation
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.67 EUR
100+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT35200MT1G ONN mbt35200mt1-d.pdf
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT35200MT1G mbt35200mt1-d.pdf
MBT35200MT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 146906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
28+0.76 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT35200MT1G MBT35200MT1_D-2315310.pdf
MBT35200MT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low Saturation
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.93 EUR
10+0.67 EUR
100+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT35200MT1G mbt35200mt1-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH