MBT3904DW1T1G ON Semiconductor
auf Bestellung 222000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5051+ | 0.03 EUR |
| 9000+ | 0.03 EUR |
| 27000+ | 0.03 EUR |
| 51000+ | 0.02 EUR |
| 102000+ | 0.02 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MBT3904DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Verlustleistung Pd: 150mW, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 200mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote MBT3904DW1T1G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 1551000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 603000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MBT3904DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 108553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 23460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MBT3904DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual NPN |
auf Bestellung 145648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 13629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 150mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Series Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 62926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Produktpalette: MMBTxxxx Series Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 62926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
MBT3904DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |