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MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G ON Semiconductor

mbt3904dw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MBT3904DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Verlustleistung Pd: 150mW, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 200mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G FUXINSEMI TMBT3904dw1t1g_FUX_FUXINSEMI.pdf 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT LRC LMBT3904DW1T1G; MBT3904DW1T1G SOT363 SPQ3000 FUXIN TMBT3904dw1t1g FUX
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G onsemi mbt3904dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SC88/SC70
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3004+0.055 EUR
6000+0.05 EUR
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30000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1561 Stücke
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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1563+0.1 EUR
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2552+0.056 EUR
2850+0.048 EUR
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6000+0.04 EUR
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G onsemi mbt3904dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual NPN
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ONSEMI 2353989.pdf Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 150mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 62926 Stücke:
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ONSEMI 2353989.pdf Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 62926 Stücke:
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MBT3904DW1T1G MBT3904DW1T1G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 513000 Stücke:
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 19205 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3704+0.046 EUR
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: FUXINSEMI
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT LRC LMBT3904DW1T1G; MBT3904DW1T1G SOT363 SPQ3000 FUXIN TMBT3904dw1t1g FUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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1000+0.057 EUR
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SC88/SC70
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 20041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1578+0.11 EUR
2552+0.067 EUR
2850+0.058 EUR
3077+0.054 EUR
6000+0.049 EUR
15000+0.043 EUR
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 48077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1561+0.11 EUR
2539+0.068 EUR
2833+0.06 EUR
3004+0.055 EUR
6000+0.05 EUR
15000+0.046 EUR
30000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1561 Stücke
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 23385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1544+0.11 EUR
2124+0.081 EUR
2445+0.069 EUR
4951+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT3904DW1T1G mbt3904dw1t1-d.pdf
MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 20041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.29 EUR
979+0.17 EUR
1563+0.1 EUR
1578+0.094 EUR
2552+0.056 EUR
2850+0.048 EUR
3077+0.044 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 48077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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971+0.17 EUR
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual NPN
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10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
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500+0.094 EUR
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MBT3904DW1T1G 2353989.pdf
MBT3904DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 150mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 62926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
491+0.51 EUR
705+0.33 EUR
1786+0.12 EUR
1825+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT3904DW1T1G 2353989.pdf
MBT3904DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 62926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
491+0.51 EUR
705+0.33 EUR
1786+0.12 EUR
1825+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3904DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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