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MBT3946DW1T1G

MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

mbt3946dw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MJxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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2218+0.069 EUR
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
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56+0.38 EUR
95+0.23 EUR
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
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7+0.45 EUR
12+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2571 Stücke:
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466+0.54 EUR
1030+0.23 EUR
1334+0.17 EUR
1558+0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 466 Stücke
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2571 Stücke:
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500+0.54 EUR
1030+0.23 EUR
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI MBT3946DW1T1G.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
auf Bestellung 924 Stücke:
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 243000 Stücke:
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4133+0.043 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3732+0.048 EUR
9000+0.043 EUR
27000+0.042 EUR
51000+0.039 EUR
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
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13275+0.05 EUR
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60258 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2218+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2218 Stücke
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
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1667+0.11 EUR
2294+0.076 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60258 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1588+0.11 EUR
1598+0.1 EUR
2198+0.073 EUR
2218+0.069 EUR
3175+0.046 EUR
3437+0.04 EUR
6000+0.039 EUR
15000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1197 Stücke
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
95+0.23 EUR
152+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
auf Bestellung 990 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+0.45 EUR
12+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MBT3946DW1T1G ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBT3946DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
466+0.54 EUR
1030+0.23 EUR
1334+0.17 EUR
1558+0.14 EUR
1799+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT3946DW1T1G ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBT3946DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2571 Stücke:
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1030+0.23 EUR
1334+0.17 EUR
1558+0.14 EUR
1799+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
auf Bestellung 924 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH