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MBT3946DW1T1G

MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

mbt3946dw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MJxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Weitere Produktangebote MBT3946DW1T1G nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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30000+0.026 EUR
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1598+0.1 EUR
2198+0.07 EUR
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI MBT3946DW1T1G.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 250...300MHz
Collector current: 0.2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 100...300
auf Bestellung 962 Stücke:
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334+0.25 EUR
516+0.17 EUR
754+0.11 EUR
885+0.096 EUR
962+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 9581 Stücke:
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614+0.4 EUR
1247+0.19 EUR
1637+0.13 EUR
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 6221 Stücke:
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1247+0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 614 Stücke
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MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
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3000+0.088 EUR
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MBT3946DW1T1G ON-Semiconductor NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 5400 Stücke:
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1588+0.11 EUR
1598+0.1 EUR
2198+0.07 EUR
2218+0.068 EUR
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3437+0.039 EUR
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 250...300MHz
Collector current: 0.2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 100...300
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 9581 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
1247+0.19 EUR
1637+0.13 EUR
2238+0.095 EUR
2526+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 6221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
1247+0.19 EUR
1637+0.13 EUR
2238+0.095 EUR
2526+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
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MBT3946DW1T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
auf Bestellung 16959 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.088 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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