MBT3946DW1T1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 385+ | 0.19 EUR |
| 550+ | 0.13 EUR |
| 812+ | 0.088 EUR |
| 958+ | 0.075 EUR |
| 962+ | 0.074 EUR |
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Technische Details MBT3946DW1T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MJxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MBT3946DW1T1G nach Preis ab 0.072 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MBT3946DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBT3946DW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary |
auf Bestellung 16959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBT3946DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Series Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 13466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MBT3946DW1T1G | ON-Semiconductor |
NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MBT3946DW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 59+ | 0.3 EUR |
| 97+ | 0.18 EUR |
| 156+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.072 EUR |
| MBT3946DW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
auf Bestellung 16959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.38 EUR |
| 13+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.097 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| 3000+ | 0.074 EUR |
| MBT3946DW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
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Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBT3946DW1T1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 300+ | 0.093 EUR |