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MC1413BDR2G

MC1413BDR2G ON Semiconductor


mc1413-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R
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Technische Details MC1413BDR2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MC1413BDR2G - TRANSISTOR-ARRAY, NPN, 1.1V, SOIC, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Ausgangsstrom: 500mA, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Ausgangsspannung: 50V, Versorgungsspannung, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3V, Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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MC1413BDR2G MC1413BDR2G Hersteller : onsemi mc1413-d.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
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MC1413BDR2G MC1413BDR2G Hersteller : ONSEMI MC1413BDG.PDF Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.5A
Input voltage: 30V
Output voltage: 50V
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Number of channels: 7
Application: for inductive load
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Mindestbestellmenge: 114
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283+0.49 EUR
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1000+0.32 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 191
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170+0.82 EUR
250+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 169
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MC1413BDR2G MC1413BDR2G Hersteller : onsemi mc1413-d.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
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MC1413BDR2G MC1413BDR2G Hersteller : onsemi mc1413-d.pdf Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington
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MC1413BDR2G MC1413BDR2G Hersteller : ONSEMI 89933.pdf Description: ONSEMI - MC1413BDR2G - TRANSISTOR-ARRAY, NPN, 1.1V, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3V
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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