Technische Details MC1413BPG ON
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16PDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 7 NPN Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V, Supplier Device Package: 16-PDIP, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| MC1413BPG | On Semiconductor |
 7 транз. Дарлингтона, DIP-16 Транзистори |
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MC1413BPG | onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16PDIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-PDIP Part Status: Obsolete |
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MC1413BPG | ON Semiconductor |
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington |
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| MC1413BPG |
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Hersteller: On Semiconductor
7 транз. Дарлингтона, DIP-16 Транзистори
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| MC1413BPG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-PDIP
Part Status: Obsolete
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-PDIP
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Hersteller: ON Semiconductor
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