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MCACL320N04YQ-TP

MCACL320N04YQ-TP Micro Commercial Co

MCACL320N04YQ(DFN5060-C).pdf Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 40 320A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6914 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details MCACL320N04YQ-TP Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH 40 320A DFN5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN5060, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6914 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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MCACL320N04YQ-TP MCACL320N04YQ-TP Hersteller : Micro Commercial Components mcacl320n04yqdfn5060-c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 320A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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40+3.47 EUR
50+3.32 EUR
100+2.65 EUR
250+2.53 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.35 EUR
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MCACL320N04YQ-TP MCACL320N04YQ-TP Hersteller : Micro Commercial Co MCACL320N04YQ(DFN5060-C).pdf Description: MOSFET N-CH 40 320A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6914 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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