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Technische Details MCB20P1200LB-TRR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Kind of channel: enhancement, Case: SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Technology: SiC, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: -5...20V, Gate charge: 62nC, On-state resistance: 98mΩ, Drain current: 25.5A, Drain-source voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: double series.
Weitere Produktangebote MCB20P1200LB-TRR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB20P1200LB-TRR | IXYS |
 MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 80mO SMPD-B |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MCB20P1200LB-TRR | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Kind of channel: enhancement Case: SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: SiC Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 62nC On-state resistance: 98mΩ Drain current: 25.5A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: double series |
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| MCB20P1200LB-TRR |
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Hersteller: IXYS
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 80mO SMPD-B
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| MCB20P1200LB-TRR |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
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