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MCD250-12io1

MCD250-12io1 IXYS


L086.pdf Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 250 Amps 1200V
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Technische Details MCD250-12io1 IXYS

Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 287Ax2; W102; Ufmax: 1.36V; bulk, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Semiconductor structure: double series, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 287A x2, Max. load current: 450A, Case: W102, Max. forward voltage: 1.36V, Threshold on-voltage: 0.85V, Max. forward impulse current: 9kA, Gate current: 150/200mA, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Kind of package: bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MCD250-12io1 Hersteller : Ixys Semiconductor GmbH L086.pdf Тиристорно-диодный модуль Itav=2*287А, 1200В
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MCD250-12io1 Hersteller : IXYS L086.pdf Description: MOD THYRISTOR/DIODE 1200V Y2-DCB
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MCD250-12io1 Hersteller : IXYS L086.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 287Ax2; W102; Ufmax: 1.36V; bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 287A x2
Max. load current: 450A
Case: W102
Max. forward voltage: 1.36V
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 150/200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
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