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MCH4009-TL-H

MCH4009-TL-H onsemi

ena0389-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-MCPH
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Technische Details MCH4009-TL-H onsemi

Description: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13.5dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: 4-MCPH.

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MCH4009-TL-H MCH4009-TL-H Hersteller : onsemi ENA0389_D-2310838.pdf RF Bipolar Transistors HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
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MCH4009-TL-H MCH4009-TL-H Hersteller : onsemi ena0389-d.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-MCPH
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386+0.33 EUR
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