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Technische Details MCH6001-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Bauform - HF-Transistor: SOT-363, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 8V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150mA, Übergangsfrequenz: 16GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MCH6001-TL-E nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MCH6001-TL-E | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS 2NPN 8V 0.15A 6MCPHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 16GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: 6-MCPH Part Status: Active |
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MCH6001-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600mW euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-363 Bauform - HF-Transistor: SOT-363 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 8V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150mA Übergangsfrequenz: 16GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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MCH6001-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-363 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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MCH6001-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 8V 0.15A 6MCPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 16GHz Supplier Device Package: 6-MCPH Part Status: Active Gain: 16dB Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz |
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