MCH6351-TL-W onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 6-MCPH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 6-MCPH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 6000+ | 0.35 EUR |
| 9000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details MCH6351-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote MCH6351-TL-W nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MCH6351-TL-W | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 6-MCPH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V |
auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MCH6351-TL-W | Hersteller : onsemi |
 MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES |
auf Bestellung 8883 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MCH6351-TL-W | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCH6351-TL-W | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCH6351-TL-W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 9A 6-Pin MCPH T/R |
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