| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 0.98 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details MCH6351-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MCH6351-TL-W nach Preis ab 0.49 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MCH6351-TL-W | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPHInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-MCPH Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MCH6351-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MCH6351-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MCH6351-TL-W |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MCPH
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MCPH
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 0.99 EUR |
| 21+ | 0.85 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| MCH6351-TL-W |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MCH6351-TL-W |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH