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MCH6421-TL-W

MCH6421-TL-W onsemi

mch6421-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 5.5A MCPH6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
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Technische Details MCH6421-TL-W onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 5.5A MCPH6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MCH6421-TL-W MCH6421-TL-W ON Semiconductor MCH6421-D-775542.pdf MOSFET NCH 1.8V Power MOSFE
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MCH6421-TL-W ONSEMI mch6421-d.pdf Description: ONSEMI - MCH6421-TL-W - MOSFET, N-CH, 20V, 5.5A, SC-88-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Description: ONSEMI - MCH6421-TL-W - MOSFET, N-CH, 20V, 5.5A, SC-88-6
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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