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MCH6602-TL-E

MCH6602-TL-E onsemi

MCH6602.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6MCPH
Supplier Device Package: 6-MCPH
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
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Technische Details MCH6602-TL-E onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 6-MCPH.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MCH6602-TL-E MCH6602-TL-E ON Semiconductor MCH6602-D-256474.pdf MOSFET POWER MOSFET
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MCH6602-TL-E ONSEMI MCH6602.pdf Description: ONSEMI - MCH6602-TL-E - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 0.35A, SOT-363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MCH6602-TL-E SANYO MCH6602.pdf SOT26/SOT363
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MOSFET POWER MOSFET
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Description: ONSEMI - MCH6602-TL-E - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 0.35A, SOT-363
tariffCode: 85412900
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