MCH6602-TL-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6MCPH
Supplier Device Package: 6-MCPH
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1514+ | 0.3 EUR |
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Technische Details MCH6602-TL-E onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 6-MCPH.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MCH6602-TL-E | ON Semiconductor |
MOSFET POWER MOSFET |
auf Bestellung 5677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MCH6602-TL-E | SANYO |
SOT26/SOT363 |
auf Bestellung 7438 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MCH6602-TL-E |
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