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Technische Details MDNA210UB2200PTED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 200A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: E2-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT.
Weitere Produktangebote MDNA210UB2200PTED
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MDNA210UB2200PTED | IXYS |
 Diode Modules BipolarModule-Rectifier+Brake E2-Pk-PFP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MDNA210UB2200PTED | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MDNA210UB2200PTED |
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Hersteller: IXYS
Diode Modules BipolarModule-Rectifier+Brake E2-Pk-PFP
Diode Modules BipolarModule-Rectifier+Brake E2-Pk-PFP
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| MDNA210UB2200PTED |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
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