MDS1100 Microsemi Corporation
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55TU-1
Frequency - Transition: 1.03GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100A
Power - Max: 8750W
Gain: 8.9dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 55TU-1
Packaging: Bulk
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Technische Details MDS1100 Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55TU-1, Frequency - Transition: 1.03GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Power - Max: 8750W, Gain: 8.9dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 55TU-1, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MDS1100 | Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MDS1100 |
|
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