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MG1006-M11 Microchip Technology


Hersteller: Microchip Technology
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL
Packaging: Tray
Package / Case: Stud
Diode Type: PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Part Status: Active
Current - Max: 700 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
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Technische Details MG1006-M11 Microchip Technology

Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL, Packaging: Tray, Package / Case: Stud, Diode Type: PIN - Single, Voltage - Peak Reverse (Max): 10V, Part Status: Active, Current - Max: 700 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MG1006-M11 Microchip Technology MG1001Series-3444450.pdf PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Pill
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MG1006-M11 Microchip Technology 33614817-microwave-rf-power-products-catalog.pdf RF and Microwave Diode and Transistor
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PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Pill
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