MG250YD2YMS3(DAE) Toshiba
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Technische Details MG250YD2YMS3(DAE) Toshiba
MOSFET Modules HIGH-POWER SiC MOSFET Module; PD=2000W; ID=250A; VDSS=2200V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MG250YD2YMS3(DAE) | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 2.2KV 250A |
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| MG250YD2YMS3(DAE) |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 2.2KV 250A
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