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MG50P12E2

MG50P12E2 Yangjie Technology

Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules E2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 227 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.6 nF @ 25 V
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Technische Details MG50P12E2 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules E2, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 227 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.6 nF @ 25 V.

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MG50P12E2 Hersteller : Yangjie Electronic Technology MG50P12E2
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