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MGD3160AM315EKT

MGD3160AM315EKT NXP USA Inc.

GD3160.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Supplier Device Package: 32-SOIC
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tray
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Technische Details MGD3160AM315EKT NXP USA Inc.

Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A, Gate Type: IGBT, SiC MOSFET, Number of Drivers: 1, Driven Configuration: High-Side, Channel Type: Single, Supplier Device Package: 32-SOIC, Input Type: Non-Inverting, Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Packaging: Tray.

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