
MGD3162AM550EKT NXP Semiconductors

Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Anzahl | Preis |
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1+ | 16.28 EUR |
10+ | 12.72 EUR |
25+ | 11.83 EUR |
100+ | 10.54 EUR |
1056+ | 9.82 EUR |
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Technische Details MGD3162AM550EKT NXP Semiconductors
Description: GATE DRIVER, Packaging: Tray, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Technology: Magnetic Coupling, Approval Agency: VDE, Supplier Device Package: 32-SOIC, Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns, Grade: Automotive, Number of Channels: 1, Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 25V, Qualification: AEC-Q100.
Weitere Produktangebote MGD3162AM550EKT nach Preis ab 12.58 EUR bis 17.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MGD3162AM550EKT | Hersteller : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Technology: Magnetic Coupling Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 32-SOIC Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 25V Qualification: AEC-Q100 |
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