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MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G ON Semiconductor

mgsf1n02lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MGSF1N02LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : onsemi mgsf1n02lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689930924588745&compId=MGSF1N02L.PDF?ci_sign=53e8d360d595fd10043c77ae2dd63dcaba731e79 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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157+0.46 EUR
201+0.36 EUR
237+0.3 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689930924588745&compId=MGSF1N02L.PDF?ci_sign=53e8d360d595fd10043c77ae2dd63dcaba731e79 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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1153+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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1000+0.28 EUR
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : onsemi MGSF1N02LT1-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
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10+0.5 EUR
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500+0.24 EUR
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : onsemi mgsf1n02lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
auf Bestellung 23311 Stücke:
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26+0.69 EUR
36+0.5 EUR
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500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : ONSEMI 2255257.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4230 Stücke:
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MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Hersteller : ONSEMI 2255257.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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