MGSF1N02LT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MGSF1N02LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MGSF1N02LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
auf Bestellung 20275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm |
auf Bestellung 71940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
auf Bestellung 20737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
| MGSF1N02LT1G | Hersteller : ONSEMI |
MGSF1N02LT1G SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |