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MHT1004NR3 NXP USA Inc.



Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 32 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: OM-780-2
Technology: LDMOS
Gain: 15.2dB
Power - Output: 280W
Frequency: 2.45GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: OM-780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MHT1004NR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 32 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: OM-780-2, Technology: LDMOS, Gain: 15.2dB, Power - Output: 280W, Frequency: 2.45GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: OM-780-2, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MHT1004NR3 NXP Semiconductors MHT1004N-1126797.pdf RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V
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Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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MHT1004NR3 MHT1004N-1126797.pdf
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RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V
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