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MII150-12A4

MII150-12A4 IXYS

MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4-481258.pdf Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 150 Amps 1200V
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Technische Details MII150-12A4 IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 120A, Type of module: IGBT, Application: motors, Power dissipation: 760W, Technology: NPT, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 200A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: Y3-DCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 120A, Topology: IGBT half-bridge.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MII150-12A4
Produktcode: 49420 		MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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MII150-12A4 Hersteller : IXYS MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
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MII150-12A4 Hersteller : IXYS MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 120A
Type of module: IGBT
Application: motors
Power dissipation: 760W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: Y3-DCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Topology: IGBT half-bridge
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