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MII300-12A4

MII300-12A4 IXYS


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Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules IGBT MODULE 1200V,300A
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Technische Details MII300-12A4 IXYS

Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA, Power - Max: 1380 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 330 A, Part Status: Active, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: Y3-DCB, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Y3-DCB, Packaging: Box.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MII300-12A4 Hersteller : IXYS/Littelfuse MII100-12A3_MID100-12A3_MDI100-12A3.pdf Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 330, Uce(on), В = 2,2, Uge(th), В = 4,5...6,5, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = выводной, td(on), нс = 100, td(off), нс = 90,... Група товару: Транзистори Корпус: Y3-DCB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 6 Stücke
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