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MII75-12A3 IXYS

Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V

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Technische Details MII75-12A3 IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5, Packaging: Box, Package / Case: Y4-M5, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Y4-M5, IGBT Type: NPT, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 370 W, Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.

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