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Technische Details MIXA100W1200TEH IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 108A, Case: E3-Pack, Application: motors; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Power dissipation: 500W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw.
Weitere Produktangebote MIXA100W1200TEH nach Preis ab 335.04 EUR bis 335.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIXA100W1200TEH | IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MIXA100W1200TEH |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3
Description: IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 335.04 EUR |


