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Technische Details MIXA61H1200ED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: E2-Pack, Application: motors; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Collector current: 60A, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 290W.
Weitere Produktangebote MIXA61H1200ED
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| MIXA61H1200ED | IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 60A |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MIXA61H1200ED |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 60A
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auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)