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MIXA61H1200ED

MIXA61H1200ED IXYS


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IGBT Modules IGBT XPT Module H Bridge
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Technische Details MIXA61H1200ED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 60A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 290W, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Application: motors; photovoltaics, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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MIXA61H1200ED Hersteller : IXYS MIXA61H1200ED.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 60A
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MIXA61H1200ED Hersteller : IXYS MIXA61H1200ED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 290W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Application: motors; photovoltaics
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MIXA61H1200ED Hersteller : IXYS MIXA61H1200ED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 290W
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