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MJ10004

MJ10004 NTE Electronics, Inc

MJ10004.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN DARL 350V 20A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 175 W
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Technische Details MJ10004 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS 2 NPN DARL 350V 20A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 20A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 175 W.

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MJ10004 MJ10004 Hersteller : Solid State Inc. MJ10004-ssi.pdf Description: TRANS 2 NPN DARL 350V 20A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 175 W
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