MJ11012G
Produktcode: 124424
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJ11012G | Hersteller : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ11012G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
Produkt ist nicht verfügbar |