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MJ11012G

MJ11012G onsemi


mj11012-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
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Technische Details MJ11012G onsemi

Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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MJ11012G MJ11012G Hersteller : onsemi MJ11012_D-2315884.pdf Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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MJ11012G
Produktcode: 124424
mj11012-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ON Semiconductor mj11012-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ONSEMI MJ11012G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : onsemi mj11012-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
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MJ11012G MJ11012G Hersteller : ONSEMI MJ11012G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
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