MJ11012G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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60+ | 8.26 EUR |
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Technische Details MJ11012G onsemi
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MJ11012G nach Preis ab 7.8 EUR bis 13.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJ11012G | Hersteller : onsemi | Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 87-91 Tag (e) |
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MJ11012G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11012G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 2 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11012G Produktcode: 124424 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11012G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11012G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJ11012G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 200 W |
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MJ11012G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
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