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MJ11028G

MJ11028G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 33824 Stücke:
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Technische Details MJ11028G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJ11028G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 18hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJ11028G MJ11028G ON Semiconductor mj11028d.pdf Trans Darlington NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 40400 Stücke:
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MJ11028G MJ11028G ON Semiconductor mj11028d.pdf Trans Darlington NPN 60V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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MJ11028G MJ11028G onsemi mj11028-d.pdf ONSMS15081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Darlington Transistors 50A 60V Bipolar Power NPN
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MJ11028G MJ11028G onsemi mj11028-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 50A TO204
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tray
auf Bestellung 1400 Stücke:
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10+26.05 EUR
100+20.58 EUR
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MJ11028G MJ11028G onsemi mj11028-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
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MJ11028G MJ11028G ONSEMI mj11028-d.pdf ONSMS15081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJ11028G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 18hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23 Stücke:
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MJ11028G Sanyo ONSMS15081-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 60V 50A TO204
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
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20+27.1 EUR
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Description: TRANS NPN DARL 60V 50A TO204
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tray
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Description: TRANS NPN DARL 60V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
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10+26.05 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11028G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 18hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
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