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Technische Details MJ11032G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 300 W.
Weitere Produktangebote MJ11032G nach Preis ab 45.31 EUR bis 45.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| MJ11032G | Hersteller : ON-Semicoductor |
 NPN 120V 30A 300W MJ11032G TMJ11032Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJ11032G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 39271 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3 Uceo,V: 120 Ucbo,V: 120 Ic,A: 50 h21: 1000-18000 Bem.: Darlington |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJ11032G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 W |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
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