MJ11032G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3
Kind of package: in-tray
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: TO3
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 300W
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 120V
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 14.84 EUR |
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Technische Details MJ11032G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJ11032G nach Preis ab 9.52 EUR bis 23.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Kind of package: in-tray Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Case: TO3 Mounting: THT Type of transistor: NPN Power dissipation: 300W Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 120V |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11032G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 50A 120V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11032G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 W |
auf Bestellung 25603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11032G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 39271
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3 Uceo,V: 120 Ucbo,V: 120 Ic,A: 50 h21: 1000-18000 Bem.: Darlington ZCODE: THT |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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