MJ11032G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 17.27 EUR |
| 25+ | 15.08 EUR |
| 50+ | 14.14 EUR |
| 100+ | 13.25 EUR |
| 300+ | 12.24 EUR |
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Technische Details MJ11032G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJ11032G nach Preis ab 9.52 EUR bis 23.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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MJ11032G | Hersteller : onsemi |
 Darlington Transistors 50A 120V Bipolar Power NPN |
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MJ11032G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 W |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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MJ11032G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 39271
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3 Uceo,V: 120 Ucbo,V: 120 Ic,A: 50 h21: 1000-18000 Bem.: Darlington |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJ11032G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
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