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MJ11033G

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Produktcode: 142953
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details MJ11033G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Type:Darlington
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:120V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.5V
  • DC Current Gain Min (hfe):1000
  • Package/Case:TO-204

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJ11033G MJ11033G ONSEMI MJ11032G.PDF description Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MJ11033G MJ11033G ON Semiconductor mj11028d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
auf Bestellung 45 Stücke:
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40+16.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MJ11033G MJ11033G onsemi mj11028-d.pdf description Darlington Transistors 50A 120V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24 EUR
10+17.95 EUR
100+16.36 EUR
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MJ11033G MJ11033G onsemi mj11028-d.pdf description Description: TRANS PNP DARL 120V 50A TO204
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tray
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.05 EUR
10+18.28 EUR
100+13.9 EUR
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MJ11033G MJ11033G ONSEMI ONSM-S-A0013299308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11033G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 18000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.6 EUR
12+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJ11033G Sanyo Electric mj11028-d.pdf description MJ11033G
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40+16.83 EUR
100+15.76 EUR
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MJ11033G INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd mj11028-d.pdf description PNP 50A 120V 0.3W MJ11033G TMJ11033
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJ11033G description MJ11032G.PDF
MJ11033G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
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MJ11033G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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MJ11033G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 50A 120V Bipolar Power PNP
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10+17.95 EUR
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MJ11033G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 50A TO204
Power - Max: 300 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tray
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MJ11033G description ONSM-S-A0013299308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11033G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11033G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 18000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 17 Stücke:
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9+26.6 EUR
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MJ11033G description mj11028-d.pdf
Hersteller: Sanyo Electric
MJ11033G
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Hersteller: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd
PNP 50A 120V 0.3W MJ11033G TMJ11033
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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MJ11032G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 39271
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MJ11032G (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 120 V
Kollektorstrom Ic, A: 50 A
Stromverstärkung h21: 1000-18000
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
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