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MJ14002G

MJ14002G onsemi

mj14001-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 60A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
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Technische Details MJ14002G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 60A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 300 W.

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MJ14002G Hersteller : onsemi MJ14001_D-2315624.pdf Bipolar Transistors - BJT 60A 80V 300W NPN
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MJ14002G MJ14002G Hersteller : ON Semiconductor mj14001-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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MJ14002G MJ14002G Hersteller : ON Semiconductor mj14001-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
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