MJ14002G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 33.34 EUR |
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| 26+ | 25.74 EUR |
| 50+ | 23.38 EUR |
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Technische Details MJ14002G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 60A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 300 W.
Weitere Produktangebote MJ14002G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJ14002G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ14002G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 60A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
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| MJ14002G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60A 80V 300W NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJ14002G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 60A; 300W; TO204,TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3; TO204 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
Produkt ist nicht verfügbar |