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MJ15015G

MJ15015G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Technische Details MJ15015G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJ15015G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 180W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 6MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJ15015G MJ15015G ON Semiconductor 2n3055ad.pdf Trans GP BJT NPN 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ15015G MJ15015G onsemi 2n3055a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 15A 120V 180W NPN
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MJ15015G MJ15015G onsemi 2n3055a-d.pdf Description: TRANS NPN 120V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 180 W
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MJ15015G MJ15015G ONSEMI ONSM-S-A0013777028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ15015G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 6MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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MJ15015G
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Bipolar Transistors - BJT 15A 120V 180W NPN
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Packaging: Tray
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 180 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ15015G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 6MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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