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MJ15022G

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Produktcode: 143593
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MJ15022G MJ15022G ON Semiconductor mj15022-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 300 Stücke:
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500+7.97 EUR
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MJ15022G MJ15022G ONSEMI MJ15022.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 90 Stücke:
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13+13.24 EUR
19+9.15 EUR
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MJ15022G MJ15022G onsemi mj15022-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 16A 200V 250W NPN
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MJ15022G MJ15022G onsemi mj15022-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 308 Stücke:
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2+18.46 EUR
10+12.67 EUR
100+9.4 EUR
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MJ15022G MJ15022G ONSEMI mj15022-d.pdf Description: ONSEMI - MJ15022G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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16+15.46 EUR
19+11.86 EUR
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MJ15022G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 300 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ15022G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 8739 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
71+9.2 EUR
100+8.63 EUR
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MJ15022G
Hersteller: ON Semiconductor
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MJ15022G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 13056 Stücke:
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MJ15022G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 90 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 135 Stücke:
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13+13.24 EUR
19+9.15 EUR
100+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MJ15022G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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13+13.24 EUR
19+9.35 EUR
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MJ15022G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ15022G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 200V 250W NPN
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
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MJ15022G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ15022G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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Produktcode: 140267
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MJ15023GMJ15023G
MJ15023GMJ15023G
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-204
Grenzfrequenz fT, MHz: 4 МГц
Spannung Uce, V: 200 В
Spannung Ucb, V: 350 В
Strom Ic, A: 16 А
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